111年

SiGe已經被全球的眾多研究單位進行諸多的研究和探討，但是其在商業上的使用卻是少之又少，其原因在於Ge和Si的晶格不匹配率高達了4.2%。這一差距會導致GeSi磊晶層中的缺陷會隨著Ge的含量提升而增加，進而造成最終元件的耗能和耗損率增加。為此，要如何在Si基板上成長出既平坦，Ge含量又高的磊晶層便是我們需要解決的問題點。