專題實作｜專題成果
111年
The Electrical Engineering department
The
Electrical Engineering
department
指導老師
温武義
高品質矽鍺虛擬基板之製備與優化
組長
呂家輝
組員
白礎豪、張智堯、陳俊豪
液相磊晶(LPE)的高成長速率非常適合用來成長需要一定厚度以上之Ge 組成漸變SiGe 緩衝層，其所花費的時間相較於其他磊晶法短還能達到良好的品質，且液相磊晶(LPE)的成本相較於其他磊晶法來得低許多，也比較符合作為教育研究用途，故選擇使用此方法進行研究。本研究中利用Sn含量有85%的Sn-Ge溶液在高溫使用液態磊晶技術成長，而且在利用Si基板上回溶會提供Si原子的方法，試著在Si基板上生長出SiGe漸變層，最後在Si基板上長出純Ge層。
